国家/地区 中国（338） 美国（245） 韩国（154） 世界知识产权组织（134） 日本（93） 欧洲专利局（EPO）（73） 台湾（33） 加拿大（13） 德国（10） 西班牙（10） 新加坡（9） 印度（8） 俄罗斯（7） 澳大利亚（3） 巴西（3） 英国（3） 香港（3） 以色列（3） 墨西哥（3） 南非（3）
IPC部 B（560）
IPC大类 B82（338） C01（277） H01（220）
B01（186） B32（102） C23（64）
C08（39） B05（36） C09（32）
C02（28） H05（19） C07（18）
B22（16） B29（14） C25（13）
IPC小类 B82Y（309） C01B（274） B01J（168）
H01L（107） B32B（102） H01M（73）
H01B（66） C23C（62） B82B（56）
B05D（36） C02F（28） C08K（28）
H01G（28） B01D（23） C01G（21）
IPC B82Y040/00（220） C01B031/04（185） B82Y030/00（184）
C01B031/02（156） B82B003/00（50） B82Y099/00（42）
H01B001/04（40） B32B009/00（39） C23C016/26（38）
B01J021/18（35） C01B031/00（28） B32B009/04（26）
C08K003/04（25） H01L029/16（24） H01M004/583（23）
发明人 LI Y（20） WANG X（20） WANG Y（20）
ZHANG X（16） ZHANG Y（16） CHOI J（12）
ZHOU M（12） LEE S（11） WANG Z（11）
FU Y（10） JIANG K（10） LIN X（10）
LIU X（10） SHIN H（10） SUN X（10）
公开年 2012（560）
申请年 2011（265）  2012（245）  2010（50） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（25） UNIV TSINGHU.（15） UNIV ZHEJIAN.（15） SAMSUNG TECH.（14）
INT BUSINESS.（12） HANWHA TECHW.（11） UNIV SUNGKYU.（11） UNIV TIANJIN（11）
HON HAI PREC.（10） UNIV SHANGHA.（10） HONGFUJIN PR.（9） KOREA INST S.（9）
HAIYANGWANG .（8） KOREA ADV IN.（8） OCEANS KING .（8） UNIV SUNGKYU.（8）
UNIV CHANGZH.（7） UNIV NANJING.（7） UNIV SUNGKYU.（7） SEMICONDUCTO.（6）

Formation of transistor structure involves forming graphene layer on insulating layer, forming stack of primary and secondary metal portions, and laterally offsetting sidewalls of primary metal portion relative to secondary portion.

AVOURIS P, FARMER D B, LIN Y, ZHU Y

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Method of forming graphene metal matrix composite for e.g. semiconductor device, involves removing solvent containing graphene nanoplatelets to form uniformly oriented graphene layer which is included within metal matrix.

KIM N P, HUANG J P

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Tuning method of interlayer spacing in graphene oxide composites used for hydrogen storage, involves chemically-dissecting graphite powder using oxidizing agents, and supplying carbon dioxide into interlayer spacing of composite.

JIN P S, I L S, SOO J P, SEUL Y L